对比图
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 2.98 ohm, 10 V, 1.405 VSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA, TO-92, 3 PINMOSFET N-CH 60V 300mA SOT23
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix Panasonic (松下)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3
引脚数 3 - 3
长度 - 4.6 mm -
宽度 - 3.6 mm -
高度 - 4.6 mm 1 mm
封装 SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3
产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
最小包装 3000 - -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 - Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 2.98 Ω - -
极性 N-CH - -
耗散功率 360 mW - 350 mW
阈值电压 1.405 V - -
漏源极电压(Vds) 100 V - 60 V
连续漏极电流(Ids) 0.17A - -
输入电容(Ciss) 21.5pF @25V(Vds) - 40pF @10V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 360mW (Ta) - 350mW (Ta)
额定功率(Max) - - 350 mW
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon