对比图
描述 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3Pin PowerSO-10RF (Straight lead) T/R
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF
频率 2 GHz 2 GHz
耗散功率 59 W 59 W
输出功率 10 W 10 W
增益 11 dB 11 dB
测试电流 150 mA 150 mA
输入电容(Ciss) 45pF @12.5V(Vds) 45pF @12.5V(Vds)
工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 59000 mW 59000 mW
额定电压 40 V 40 V
漏源极电压(Vds) - 40 V
漏源击穿电压 - 40 V
长度 7.5 mm -
宽度 9.4 mm -
高度 3.5 mm -
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99