射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 POWER R.F.
RF Mosfet LDMOS 13.6 V 150 mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF Straight Lead
得捷:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 POWER R.F.
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF Straight lead Tube
DeviceMart:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
频率 2 GHz
耗散功率 59 W
输出功率 10 W
增益 11 dB
测试电流 150 mA
输入电容Ciss 45pF @12.5VVds
工作温度Max 165 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 59000 mW
额定电压 40 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PowerSO-10RF
长度 7.5 mm
宽度 9.4 mm
高度 3.5 mm
封装 PowerSO-10RF
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PD20010S-E ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
PD20010STR-E 意法半导体 | 完全替代 | PD20010S-E和PD20010STR-E的区别 |