对比图
型号 BCR183SH6327XTSA1 DDA114EU-7 PUMB11,135
描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 6Pin SOT-363 T/R2个PNP-预偏置 100mA 50V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Diodes (美台) Nexperia (安世)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SOT-363-6 SOT-323-6 TSSOP-6
额定电压(DC) - -50.0 V -
额定电流 - -100 mA -
极性 PNP PNP -
耗散功率 0.25 W 200 mW 300 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA -
最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V
额定功率(Max) 250 mW 200 mW 300 mW
增益带宽 200 MHz 250 MHz -
耗散功率(Max) 250 mW 200 mW 300 mW
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
高度 0.8 mm 1 mm -
封装 SOT-363-6 SOT-323-6 TSSOP-6
长度 2 mm - -
宽度 1.25 mm - -
产品生命周期 Last Time Buy Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead 无铅
ECCN代码 EAR99 - EAR99