IRF7313PBF和NTMD6N03R2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7313PBF NTMD6N03R2G STS5DNF20V

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7313PBF  双路场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, SOIC 新ON SEMICONDUCTOR  NTMD6N03R2G.  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, SOICSTMICROELECTRONICS  STS5DNF20V  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 20.0 V

额定电流 6.50 A 6.00 A 5.00 A

额定功率 - - 1.6 W

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.029 Ω 0.024 Ω 30 mΩ

极性 N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2 W

阈值电压 1 V 1.8 V 2.7 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 20 V

漏源击穿电压 30 V 30 V 20.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.50 A 6.00 A 5.00 A

上升时间 8.90 ns 22.0 ns 33 ns

输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 950pF @24V(Vds) 460pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 1.29 W 2 W

下降时间 - - 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 2 W

通道数 - 2 -

产品系列 IRF7313 - -

输入电容 650pF @25V - -

热阻 62.5℃/W (RθJA) - -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司