对比图
型号 IPB70N10S3L12ATMA1 IXFH80N10 IXTA80N10T7
描述 Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB70N10S3L12ATMA1, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装TO-247AD N-CH 100V 80AD2PAK N-CH 100V 80A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 - -
封装 TO-263-3-2 TO-247-3 TO-263-7
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 125 W 300 W 230W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 70A 80A 80A
上升时间 5 ns 63 ns -
输入电容(Ciss) 4270pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds) 3040pF @25V(Vds)
下降时间 5 ns 26 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 125W (Tc) 300W (Tc) 230W (Tc)
长度 10 mm 16.26 mm -
宽度 9.25 mm 5.3 mm -
高度 4.4 mm 21.46 mm -
封装 TO-263-3-2 TO-247-3 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended Not Recommended
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free