MMBT2369LT1G和MPS2369G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2369LT1G MPS2369G MMBT2369LT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT2369LT1G  单晶体管 双极, NPN, 15 V, 300 mW, 200 mA, 120 hFETRANS NPN 15V 0.2A TO92NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 TO-226-3 SOT-23-3

极性 NPN - NPN

耗散功率 300 mW - 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V 15 V

集电极最大允许电流 0.2A - 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 20 40 @10mA, 1V 20

额定功率(Max) 225 mW 625 mW 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW - 225 mW

额定电压(DC) 15.0 V 15.0 V -

额定电流 200 mA 200 mA -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 120 - -

长度 2.9 mm - 3.04 mm

宽度 1.3 mm - 2.64 mm

高度 0.94 mm - 1.11 mm

封装 SOT-23-3 TO-226-3 SOT-23-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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