CY14B104NA-BA20XI和CY14B104NA-BA20XIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B104NA-BA20XI CY14B104NA-BA20XIT CY14B104N-BA20XCT

描述 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 48 48 48

封装 FBGA-48 FBGA-48 TFBGA-48

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

存取时间(Max) 20 ns 20 ns 20 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 - - 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V -

高度 - - 0.89 mm

封装 FBGA-48 FBGA-48 TFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.b -

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