对比图
型号 FDB3632 HUF75645S3S NTB52N10T4G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB3632. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 80A, TO-263AB, 整卷75A ， 100V ， 0.014 Ohm的N通道， UltraFET功率MOSFET 75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs52A,100V功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 44.0 A 75.0 A 52.0 A
通道数 1 1 1
漏源极电阻 7.5 mΩ 14 mΩ 30 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 310 W 310 W 178 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 75.0 A 52.0 A
上升时间 39 ns 117 ns 95 ns
输入电容(Ciss) 6000pF @25V(Vds) 3790pF @25V(Vds) 3150pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 310 W 310 W 2 W
下降时间 46 ns 97 ns 100 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 310W (Tc) 310W (Tc) 2W (Ta), 178W (Tc)
针脚数 3 - -
阈值电压 4 V - -
输入电容 6.00 nF - -
栅电荷 84.0 nC - -
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.29 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99