对比图
型号 IPI80N06S2L05AKSA1 STP80NF55-08 IPI80N06S2L05AKSA2
描述 Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S2L05AKSA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装STMICROELECTRONICS STP80NF55-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 VN-CH 55V 80A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-262-3
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 300W (Tc) 300 W 300W (Tc)
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80.0 A 80A
上升时间 93 ns 110 ns 93 ns
输入电容(Ciss) 5700pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds) 5700pF @25V(Vds)
下降时间 90 ns 35 ns 90 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300 W 300W (Tc)
额定电压(DC) - 55.0 V -
额定电流 - 80.0 A -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.008 Ω -
阈值电压 - 3 V -
漏源击穿电压 - 55.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
额定功率(Max) - 300 W -
长度 10 mm 10.4 mm -
宽度 4.4 mm 4.6 mm -
高度 9.25 mm 15.75 mm -
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead 无铅
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -