对比图
型号 ULN2803AN ULN2804A ULN2004AID
描述 TEXAS INSTRUMENTS ULN2803AN 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, DIPSTMICROELECTRONICS ULN2804A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIPTEXAS INSTRUMENTS ULN2004AID 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 18 18 16
封装 DIP-18 DIP-18 SOIC-16
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -
额定电流 500 mA 500 mA -
输出电压 - 50 V -
输出电流 - 500 mA -
通道数 - 8 -
针脚数 18 18 16
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 - 2.25 W -
输入电容 - 15.0 pF -
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @350mA, 2V -
额定功率(Max) - 2.25 W -
直流电流增益(hFE) - 1000 -
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 105 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -20 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) - 2250 mW -
驱动器/包 8 - 7
集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A
电源电压 - - 6V ~ 15V
输入电压(Max) 5 V - -
输出电压(Max) 50 V - -
输出电流(Max) 500 mA - -
长度 22.48 mm 23.24 mm 9.9 mm
宽度 6.35 mm 7.1 mm 3.91 mm
高度 4.57 mm 3.93 mm 1.58 mm
封装 DIP-18 DIP-18 SOIC-16
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -20℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 105℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99