NTB25P06T4G和NTB30N06LT4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTB25P06T4G NTB30N06LT4G NTB18N06T4

描述 P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor30A,60V功率MOSFET功率MOSFET 15 A, 60 V , N沟道TO- 220和D2PAK Power MOSFET 15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) -60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 -25.0 A 30.0 A 15.0 A

通道数 1 1 -

漏源极电阻 0.07 Ω 46 mΩ 90.0 mΩ

极性 P-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 120 W 88.2 W 48.4W (Tc)

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±15.0 V ±15.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 27.5 A 30.0 A 15.0 A

上升时间 72 ns 200 ns 25.0 ns

输入电容(Ciss) 1680pF @25V(Vds) 1150pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds)

下降时间 190 ns 62 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 120 W 88.2W (Tc) 48.4W (Tc)

额定功率(Max) 120 W - 48.4 W

针脚数 3 - -

长度 10.29 mm 10.29 mm -

宽度 9.65 mm 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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