IRLR8726和IRLR8726TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR8726 IRLR8726TRPBF IRLR8726TRLPBF

描述 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak packageHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。N沟道,30V,86A,8mΩ@4.5V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.004 Ω -

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 75 W 75 W

阈值电压 - 1.8 V -

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 86A 86A

上升时间 - 49 ns 49 ns

输入电容(Ciss) - 2150pF @15V(Vds) 2150pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 75 W 75 W

下降时间 - 16 ns 16 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 75W (Tc) 75W (Tc)

长度 - 6.73 mm 6.5 mm

宽度 - 7.49 mm 6.22 mm

高度 - 2.39 mm 2.3 mm

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

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