HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET，30V，
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
针脚数 3
漏源极电阻 0.004 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 75 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 86A
上升时间 49 ns
输入电容Ciss 2150pF @15VVds
额定功率Max 75 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 7.49 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRLR8726TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLR8726TRLPBF 英飞凌 | 完全替代 | IRLR8726TRPBF和IRLR8726TRLPBF的区别 |
IRLR8726PBF 英飞凌 | 类似代替 | IRLR8726TRPBF和IRLR8726PBF的区别 |
IRLR8726 英飞凌 | 功能相似 | IRLR8726TRPBF和IRLR8726的区别 |