对比图
型号 BC859CW,115 BC859CW,135 BC858CW-7-F
描述 NXP BC859CW,115 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 420 hFESC-70 PNP 30V 0.1A双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Diodes (美台)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3
频率 100 MHz - 200 MHz
针脚数 3 - -
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 200 mW 200 mW 200 mW
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V
额定功率(Max) 200 mW 200 mW 200 mW
直流电流增益(hFE) 420 - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 200 mW 200 mW 200 mW
最大电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V -
长度 2.2 mm - 2.2 mm
宽度 1.35 mm - 1.35 mm
高度 1 mm - 1 mm
封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - - EAR99