IRFR3504TRPBF和STD60N55F3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3504TRPBF STD60N55F3

描述 Trans MOSFET N-CH 40V 87A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RN 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 DPAK-252 TO-252-3

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 140 W 110 W

输入电容 - 2200 pF

漏源极电压(Vds) 40.0 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 87.0 A 80A

上升时间 - 50 ns

输入电容(Ciss) - 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 110 W

下降时间 - 11.5 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc)

额定功率 140 W -

长度 - 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm

高度 - 2.4 mm

封装 DPAK-252 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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