IRF7401TRPBF和SI4426DY-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7401TRPBF SI4426DY-T1-E3 STS6NF20V

描述 20V,8.7A,N沟道功率MOSFETSOIC-8 N-CH 20V 6.5A 25mΩSTMICROELECTRONICS  STS6NF20V  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 45 mohm, 2.7 V, 600 mV

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 8.70 A - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 IRF7401 - -

阈值电压 0.7 V - 600 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V 20.0 V 20.0 V

连续漏极电流(Ids) 8.70 A -8.50 A to 8.50 A 6.00 A

上升时间 72.0 ns 40 ns 33 ns

输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) - 460pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 1.5 W 2.5 W

漏源极电阻 - 25.0 mΩ 0.045 Ω

栅源击穿电压 - ±12.0 V ±12.0 V

下降时间 - 40 ns 10 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2500 mW 2500 mW

针脚数 - - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.25 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台