对比图
型号 IRF8010S STB40NF10LT4 STB80NF10T4
描述 Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3Pin (2+Tab) D2PAKSTMICROELECTRONICS STB40NF10LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 VSTMICROELECTRONICS STB80NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 分立器件MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 - TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 100 V 100 V
额定电流 - 40.0 A 80.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.028 Ω 12 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - 150 W 300 W
阈值电压 - 1.7 V 3 V
漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V 100 V
栅源击穿电压 - ±15.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 40.0 A 80.0 A
上升时间 - 82 ns 80 ns
输入电容(Ciss) - 2300pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 150 W 300 W
下降时间 - 24 ns 60 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 150W (Tc) 300W (Tc)
产品系列 IRF8010S - -
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
封装 - TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17