2N3767和JANTX2N3766

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3767 JANTX2N3766 2N3767 LEAD FREE

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 80V 4A 3Pin (2+Tab) TO-66 Sleeve

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-66-2 TO-213 -

耗散功率 25 W 25 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @500mA, 5V -

额定功率(Max) - 25 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 25000 mW 25000 mW -

封装 TO-66-2 TO-213 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -

ECCN代码 - EAR99 -

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