对比图
型号 JANTX2N4857 MV2N4857 JANTXV2N4857
描述 N沟道J- FET N-CHANNEL J-FETn Channel JfetSmall Signal Field-Effect Transistor, 1Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Solitron Devices
分类 JFET晶体管JFET晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-206 TO-206 -
漏源极电阻 40 Ω 40 Ω -
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V -
击穿电压 40 V 40 V -
输入电容(Ciss) 18pF @10V(Vgs) 18pF @10V(Vds) -
额定功率(Max) 360 mW 360 mW -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 360 mW 360 mW -
耗散功率 360 mW - -
封装 TO-206 TO-206 -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Bulk Bag -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead