JANTX2N4857和MV2N4857

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N4857 MV2N4857 JANTXV2N4857

描述 N沟道J- FET N-CHANNEL J-FETn Channel JfetSmall Signal Field-Effect Transistor, 1Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Solitron Devices

分类 JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-206 TO-206 -

漏源极电阻 40 Ω 40 Ω -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V -

击穿电压 40 V 40 V -

输入电容(Ciss) 18pF @10V(Vgs) 18pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 360 mW 360 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 360 mW 360 mW -

耗散功率 360 mW - -

封装 TO-206 TO-206 -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

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