FDS4675和FDS4675_F085

对比图

型号 FDS4675 FDS4675_F085 AO4485

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4675  晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -40 V, 13 mohm, -10 V, -1.4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4675_F085  晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -40 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.4 V-40V,-10A,P沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - - 1.1 W

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 2.4 W 1.4 W 1.7 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) -11.0 A 11A 10A

上升时间 29.0 ns - 20 ns

正向电压(Max) - - 1 V

输入电容(Ciss) 4350pF @20V(Vds) 4350pF @20V(Vds) 3000pF @20V(Vds)

下降时间 - - 30 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 1.7W (Ta)

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.013 Ω 0.01 Ω -

额定功率(Max) 1.2 W 1.2 W -

额定电压(DC) -40.0 V - -

额定电流 -11.0 A - -

输入电容 4.35 nF - -

栅电荷 40.0 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.9 mm 3.9 mm -

高度 1.575 mm 1.575 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 - -