IDH15S120和SDT04S60

对比图

型号 IDH15S120 SDT04S60 IDV02S60C

描述 thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky DiodeINFINEON  IDV02S60C  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 600V系列, 单, 600 V, 2 A, 3.2 nC, TO-220FP

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 肖特基二极管TVS二极管肖特基二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

正向电压 1.8 V 1.9V @4A 1.9V @2A

热阻 - - 8.5℃/W (RθJC)

反向恢复时间 0 ns 0 ns 0 ns

正向电流 15 A 4 A 2 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 78 A 12.5 A 11.5 A

工作结温(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

正向电压(Max) 2.55 V 1.9V @4A -

正向电流(Max) 15 A 4 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 4.00 A -

耗散功率(Max) - 36500 mW -

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

长度 10.2 mm 9.9 mm -

宽度 4.5 mm 4.4 mm -

高度 15.95 mm 9.2 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC Contains SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/12/17 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 175℃ 55℃ ~ 175℃ -