对比图
型号 IPB055N03LGATMA1 IPB05N03LA G IPB05N03LB G
描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB055N03LGATMA1, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装MOSFET N-CH 25V 80A D2PAKMOSFET N-CH 30V 80A TO-263
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - -
封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3
额定功率 68 W - -
极性 N-Channel - -
耗散功率 68 W 94W (Tc) 94 W
漏源极电压(Vds) 30 V 25 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 50A 80.0 A 80.0 A
上升时间 5.2 ns - 6 ns
输入电容(Ciss) 3200pF @15V(Vds) 3110pF @15V(Vds) 3209pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 68 W - 94 W
下降时间 4 ns - 4.2 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 68 W 94W (Tc) 94W (Tc)
额定电压(DC) - 25.0 V 30.0 V
额定电流 - 80.0 A 80.0 A
输入电容 - 3.11 nF 3.21 nF
栅电荷 - 25.0 nC 25.0 nC
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 7.6 mΩ
漏源击穿电压 - - 30 V
长度 10.31 mm - 10 mm
宽度 9.45 mm - 9.25 mm
高度 4.57 mm - 4.4 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -