对比图
型号 CY14B104L-BA25XIT CY14B104LA-BA25XI CY14B104L-BA25XI
描述 4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM 4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片存储芯片
引脚数 48 48 48
封装 FBGA-48 TFBGA-48 TFBGA-48
存取时间(Max) 25 ns 25 ns 25 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
存取时间 25 ns - -
封装 FBGA-48 TFBGA-48 TFBGA-48
长度 10 mm - -
宽度 6 mm - -
高度 0.94 mm - 0.89 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free 无铅
ECCN代码 - 3A991.b.2.a -