TLE2082AID和TLE2082AIDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2082AID TLE2082AIDR OP275GSZ-REEL7

描述 JFET 输入运算放大器,Excalibur TLE 系列与早期系列的 JFET 输入放大器相比,Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器,与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比,带宽加倍,但功耗无显著增加;此外,它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比,TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍,转换速率是其三倍,且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。### 运算放大器,Texas Instruments神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS双双极性/ JFET ,音频运算放大器 Dual Bipolar/JFET, Audio Operational Amplifier

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 3.1 mA 3.1 mA 30 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - - 8

共模抑制比 70 dB 70 dB 80 dB

带宽 9.4 MHz 9.40 MHz 9 MHz

转换速率 40.0 V/μs 40.0 V/μs 22.0 V/μs

增益频宽积 9.4 MHz 10 MHz 9 MHz

输入补偿电压 4 mV 700 µV 1 mV

输入偏置电流 20 pA 20 pA 100 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 10 MHz 10 MHz 9 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 80 dB

电源电压(Max) - - 22 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

输出电流 ≤80 mA ≤80 mA -

耗散功率 0.725 W 0.725 W -

输入补偿漂移 2.40 µV/K 2.40 µV/K -

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.91 mm - 4 mm

高度 1.58 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

军工级 - - No

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台