DNLS350E-13和PBSS4350Z,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DNLS350E-13 PBSS4350Z,135 BDP947

描述 DNLS350E-13 编带低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,NexperiaNPN Silicon AF Power Transistors (For AF drivers and output stages High collector current High current gain)

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Nexperia (安世) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 4 -

封装 TO-261-4 TO-261-4 -

频率 100 MHz 100 MHz -

额定功率 1 W 1.35 W -

针脚数 - 4 -

耗散功率 1 W 2 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @2A, 2V 100 @2A, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) 200 @0.5A, 2V 200 @500mA, 2V -

额定功率(Max) 1 W 2 W -

直流电流增益(hFE) - 200 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 3000 mW 2000 mW -

极性 NPN - -

集电极最大允许电流 3A - -

长度 6.5 mm 6.7 mm -

宽度 3.5 mm 3.7 mm -

高度 1.6 mm 1.7 mm -

封装 TO-261-4 TO-261-4 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free 无铅 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -

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