AM29LV040B-120JC和AM29LV040B-70JF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AM29LV040B-120JC AM29LV040B-70JF SST39LF040-55-4C-NHE

描述 Flash Mem Parallel 3V/3.3V 4M-Bit 512K x 8 120ns 32Pin PLCCNOR Flash Parallel 3V/3.3V 4M-bit 512K x 8 70ns 32Pin PLCCSST39LF010/020/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39LF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点3.0-3.6V 读取和写入操作 寿命 - 100,000 次循环(典型) 低功耗 - 有源电流 5 mA,待机电流 1 μA(14 MHz 时的典型值) 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间:70 ms(典型) 字节编程时间 - 14 μs(典型) 芯片重写时间 - SST39LF010 2 秒,SST39SF020 4 秒,SST39SF040 8 秒(典型值) 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 CMOS 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存,Microchip

数据手册 ---

制造商 Spansion (飞索半导体) Spansion (飞索半导体) Microchip (微芯)

分类 Flash芯片Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 PLCC PLCC PLCC-32

供电电流 - - 20 mA

针脚数 - - 32

位数 - - 8

存取时间 - - 55 ns

存取时间(Max) - - 55 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压 - - 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

电源电压(DC) 3.00 V, 3.60 V (max) 2.70V (min) -

内存容量 - 500000 B -

长度 - - 11.43 mm

宽度 - - 13.97 mm

高度 - - 2.79 mm

封装 PLCC PLCC PLCC-32

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

ECCN代码 - - 3A991.b.1.a

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