对比图
型号 IPT015N10N5ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1
描述 N沟道,100V,300A,1.3mΩ@10VINFINEON IPT020N10N3ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 100 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2.7 V晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 100 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 9 8 9
封装 PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8
额定功率 375 W 375 W -
通道数 1 1 -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0013 Ω 0.0017 Ω 0.0013 Ω
极性 N-CH N-Channel -
耗散功率 375 W 375 W 375 W
阈值电压 2.2 V 2.7 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V -
连续漏极电流(Ids) 300A 300A -
上升时间 30 ns 58 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 16000pF @50V(Vds) 11200pF @50V(Vds) 12316pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 375 W 375 W -
下降时间 30 ns 18 ns 48 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 375W (Tc) 375W (Tc) 375000 mW
输入电容 12 nF - -
长度 - 10.58 mm -
宽度 10.1 mm 10.1 mm -
高度 - 2.4 mm -
封装 PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -