2N3507AL和JAN2N3507AL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3507AL JAN2N3507AL 2N3507

描述 NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTORTO-5 NPN 50V 3ANPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-5 TO-5 TO-39

引脚数 - - 3

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -

集电极最大允许电流 - 3A -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @1.5A, 2V -

额定功率(Max) - 1 W -

耗散功率 - - 1 W

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 1000 mW

封装 TO-5 TO-5 TO-39

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台