FDD16AN08A0和FDD16AN08A0_NF054

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDD16AN08A0 FDD16AN08A0_NF054 BUK6211-75C,118

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD16AN08A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 VN沟道 75V 50A 9ADPAK N-CH 75V 74A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 75.0 V - -

额定电流 50.0 A - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.013 Ω - -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 135 W 135W (Tc) 158 W

阈值电压 4 V - -

输入电容 1.87 nF - -

栅电荷 31.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 75 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 9A 74A

上升时间 54 ns - 40 ns

输入电容(Ciss) 1874pF @25V(Vds) 1874pF @25V(Vds) 5251pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 135 W 135 W 158 W

下降时间 22 ns - 80 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 135 W 135W (Tc) 158W (Tc)

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.39 mm - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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