对比图
型号 BSL211SP BSL211SPL6327HTSA1 DMP2066LDM-7
描述 Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能TSOP P-CH 20V 4.7ADIODES INC. DMP2066LDM-7 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.6 A, -20 V, 0.029 ohm, -4.5 V, 960 mV 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Diodes (美台)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOP-6-6 TSOT-23-6 SOT-23-6
极性 P-CH P-CH P-Channel
耗散功率 2 W 2W (Ta) 1.25 W
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 4.70 A 4.7A 4.6A
上升时间 13.9 ns 13.9 ns 9.9 ns
输入电容(Ciss) 654pF @15V(Vds) 654pF @15V(Vds) 820pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 2 W 1.25 W
下降时间 23.3 ns 23.3 ns 23.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2W (Ta) 2W (Ta) 1250 mW
额定电压(DC) -20.0 V - -
额定电流 -4.70 A - -
通道数 1 - -
漏源极电阻 67 mΩ - 0.029 Ω
漏源击穿电压 20 V - -
针脚数 - - 6
阈值电压 - - 960 mV
封装 TSOP-6-6 TSOT-23-6 SOT-23-6
长度 3 mm - -
宽度 1.5 mm - -
高度 1 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
香港进出口证 NLR - -