对比图
描述 N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFETPower Field Effect TransistorSIPMOS大功率晶体管（N沟道增强型雪崩额定） SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Motorola (摩托罗拉) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
封装 TO-220-3 - TO-220
额定电压(DC) 500 V - -
额定电流 4.00 A - -
通道数 1 - -
漏源极电阻 3 Ω - -
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 80 W - -
漏源极电压(Vds) 500 V - 500 V
漏源击穿电压 500 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 4.00 A - 2.4A
上升时间 13 ns - -
输入电容(Ciss) 315pF @25V(Vds) - -
额定功率(Max) 80 W - -
下降时间 13 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) 65 ℃ - -
耗散功率(Max) 80W (Tc) - -
长度 10.4 mm - -
宽度 4.6 mm - -
高度 9.15 mm - -
封装 TO-220-3 - TO-220
工作温度 150℃ (TJ) - -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tube - -
RoHS标准 RoHS Compliant - -
含铅标准 - -