IRFR420BTF和IRFR420BTM的区别_IRFR420BTF代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RN CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount -

封装 TO-220-3 TO-252-3 -

漏源极电阻 2.1 Ω 2.60 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 2.5 W 2.5 W -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

漏源击穿电压 500 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 2.30 A 2.30 A -

输入电容(Ciss) - 610pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.5 W -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 41W (Tc) -

通道数 1 - -

上升时间 30 ns - -

下降时间 35 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

封装 TO-220-3 TO-252-3 -

长度 10.67 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 16.3 mm - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -