GS1GE-TP和S1G-E3/5AT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS1GE-TP S1G-E3/5AT S1G

描述 Rectifier Diode, 1Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, SMAE, 2Pin1A,高达 450V采用工业标准封装类型的多用途、高效标准恢复功率二极管。### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor整流二极管 VRRM=400V If=1A VF=1.1V SMA

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Vishay Semiconductor (威世) Diotec Semiconductor

分类 功率二极管TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 DO-214AC DO-214AC-2 SMA

正向电压 1.1 V 1.1V @1A 1.1 V

反向恢复时间 2000 ns 1.8 µs 1500 ns

正向电流 1000 mA 1 A 1000 mA

正向电流(Max) 1 A 1 A 1 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -50 ℃

负载电流 - - 1 A

针脚数 - 2 -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 30 A -

正向电压(Max) - 1.1 V -

封装 DO-214AC DO-214AC-2 SMA

长度 - 4.5 mm -

宽度 - 2.79 mm -

高度 - 2.29 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

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