对比图
描述 PNP 晶体管，STMicroelectronics### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD13616STU 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 12.5 W, -1.5 A, 100 hFEON SEMICONDUCTOR BD136G 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 1.25 W, -1.5 A, 25 hFE 新
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
额定电压(DC) - -45.0 V -45.0 V
额定电流 - -1.50 A -1.50 A
针脚数 3 3 3
极性 PNP PNP PNP, P-Channel
耗散功率 1.25 W 12.5 W 1.25 W
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
热阻 - - 10℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流 - 1.5A 1.5A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V
额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W
直流电流增益(hFE) 40 100 25
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.25 W 12.5 W 1250 mW
最大电流放大倍数(hFE) - 250 -
频率 50 MHz - -
长度 7.8 mm 8 mm 7.8 mm
宽度 2.7 mm 3.25 mm 2.66 mm
高度 10.8 mm 11 mm 11.04 mm
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99