BC81840MTF和MMBT6429LT1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC81840MTF MMBT6429LT1 MMBT5089LT1G

描述 NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。放大器晶体管( NPN硅) Amplifier Transistors(NPN Silicon)ON SEMICONDUCTOR  MMBT5089LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 50 MHz, 225 mW, 50 mA, 50 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 700 MHz 50 MHz

额定电压(DC) - 50.0 V 25.0 V

额定电流 - 200 mA 50.0 mA

针脚数 - - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.31 W 0.3 W 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 45 V 25 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.2A 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100mA, 1V 500 @100µA, 5V 400

额定功率(Max) 310 mW 225 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - - 50

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 310 mW 300 mW 300 mW

最大电流放大倍数(hFE) 630 - -

长度 2.9 mm 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 2.64 mm

高度 0.93 mm 0.94 mm 1.11 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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