CYDM128B16-55BVXI和CYDM256B16-55BVXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CYDM128B16-55BVXI CYDM256B16-55BVXI CYDMX128A16-90BVXI

描述 1.8V 4K / 8K / 16K ×16和8K / 16K ×8的MoBL双端口静态RAM 1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL Dual-Port Static RAMCYDM256B16 系列 256 Kb (16 K x 16) 1.8 V 55 ns 双端口 静态RAM FBGA-100静态随机存取存储器 MoBL ADM DPx16 128Kb IND

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 100 100 100

封装 VFBGA-100 VFBGA-100 VFBGA-100

电源电压(DC) 3.00 V 3.00 V -

存取时间 55 ns 55 ns 90 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.8V ~ 3.3V

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

供电电流 - 25 mA -

位数 - 16 -

存取时间(Max) - 55 ns -

高度 0.66 mm 0.66 mm 0.66 mm

封装 VFBGA-100 VFBGA-100 VFBGA-100

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99 -

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