BAT54VV和BCP56-10,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAT54VV BCP56-10,115 BAT54VV,115

描述 NXP  BAT54VV  小信号肖特基二极管, 三独立式, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °CNXP  BCP56-10,115  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFENXP  BAT54VV,115  小信号肖特基二极管, 三独立式, 30 V, 100 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 肖特基二极管双极性晶体管二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 4 6

封装 SOT-666 TO-261-4 SOT-666

针脚数 6 4 6

正向电压 320 mV - 800mV @100mA

反向恢复时间 5 ns - -

正向电流 200 mA - 100 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA - 600 mA

正向电压(Max) 800 mV - 800 mV

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

工作结温(Max) 125 ℃ - -

频率 - 180 MHz -

极性 - NPN -

耗散功率 - 640 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V -

集电极最大允许电流 - 1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 63 @150mA, 2V -

额定功率(Max) - 960 mW -

直流电流增益(hFE) - 63 -

耗散功率(Max) - 960 mW -

正向电流(Max) - - 200 mA

封装 SOT-666 TO-261-4 SOT-666

长度 - 6.7 mm 1.7 mm

宽度 - 3.7 mm 1.3 mm

高度 - 1.7 mm 0.6 mm

工作温度 -65℃ ~ 125℃ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 125℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司