FQPF11N40C和STP11NK40ZFP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQPF11N40C STP11NK40ZFP IRFS740B

描述 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 -

漏源极电阻 530 mΩ 0.55 Ω 540 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 44 W 30 W 44 W

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.5 A 9.00 A 10.0 A

上升时间 89 ns 20 ns 80 ns

下降时间 81 ns 18 ns 85 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - 30 W -

通道数 1 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3.75 V -

漏源击穿电压 400 V 400 V -

输入电容(Ciss) 1090pF @25V(Vds) 930pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 44 W 30 W -

耗散功率(Max) 44W (Tc) 30W (Tc) -

额定电压(DC) 400 V - -

额定电流 10.5 A - -

长度 10.36 mm 10.4 mm 10.67 mm

宽度 4.9 mm 4.6 mm 4.7 mm

高度 16.07 mm 9.3 mm 16.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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