对比图
型号 IRFR014PBF IRFR024NTRLPBF IRFR024NTRPBF
描述 VISHAY IRFR014PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.7 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFR024NTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V 新INFINEON IRFR024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V 55.0 V -
额定电流 7.70 A 17.0 A -
额定功率 25 W 38 W 38 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.2 Ω 0.075 Ω 0.075 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 25 W 45 W 45 W
产品系列 - IRFR024N -
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 300pF @25V 370 pF 370pF @25V
漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 60 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 7.70 A 16.0 A, 17.0 A 17A
上升时间 50 ns 34 ns 34 ns
输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds)
下降时间 19 ns 27 ns 27 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W 45000 mW 45W (Tc)
额定功率(Max) - - 45 W
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
宽度 6.22 mm - 6.22 mm
高度 2.38 mm - 2.39 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 - Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17