STF2N62K3和STF4N52K3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STF2N62K3 STF4N52K3 STF3LN62K3

描述 N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

漏源极电阻 3 Ω 2.1 Ω 2.5 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 20 W 20 W 20 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V 3.75 V

漏源极电压(Vds) 620 V 525 V 620 V

上升时间 4.4 ns 7 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 340pF @50V(Vds) 334pF @100V(Vds) 386pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 20 W 45 W 20 W

下降时间 22 ns 14 ns 27 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 20W (Tc) 20W (Tc) 20W (Tc)

连续漏极电流(Ids) - 2.5A -

长度 10.4 mm 7 mm 10.4 mm

宽度 4.6 mm 6.6 mm 4.6 mm

高度 16.4 mm 2.4 mm 16.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

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