对比图
型号 BSC0909NS STL50NH3LL BSC080N03LSGATMA1
描述 30V,9.2mΩ,44A,N沟道功率MOSFETN沟道30V - 0.011 - 13A - PowerFLAT （引脚6x5 ）超低栅极电荷的STripFET功率MOSFET N-channel 30V - 0.011 - 13A - PowerFLAT (6x5) Ultra low gate charge STripFET Power MOSFETINFINEON BSC080N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 - 8
封装 PG-TDSON-8 PowerVDFN-8 PG-TDSON-8
额定功率 - - 35 W
通道数 1 - 1
针脚数 - - 8
漏源极电阻 7.7 mΩ 13.0 mΩ 0.0067 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 60W (Tc) 35 W
阈值电压 - - 2.2 V
漏源极电压(Vds) 34 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 34 V 30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 12A 27.0 A 14A
上升时间 4.4 ns - 2.8 ns
输入电容(Ciss) 1110pF @15V(Vds) 965pF @25V(Vds) 1300pF @15V(Vds)
下降时间 5.4 ns - 2.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 27W (Tc) 60W (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc)
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 27.0 A -
栅源击穿电压 - ±16.0 V -
额定功率(Max) 27 W 4 W -
长度 5.9 mm - 5.9 mm
宽度 5.15 mm - 5.15 mm
高度 1.27 mm - 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8 PowerVDFN-8 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17