对比图
型号 FDW9926A NTUD3169CZT5G FDS6930B
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDW9926A 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 20 V, 32 mohm, 4.5 V, 1 VON SEMICONDUCTOR NTUD3169CZT5G. 场效应管, MOSFET, N+P沟道, 20V, SOT-963FDS6930B 系列 30 V 38 mOhm 双 N 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 6 8
封装 TSSOP-8 SOT-963-6 SOIC-8
通道数 2 2 -
针脚数 8 6 8
漏源极电阻 32 mΩ 0.75 Ω 0.031 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, P-Channel -
耗散功率 1 W 125 mW 2 W
阈值电压 1 V 1 V 1.9 V
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 4.50 A 280 mA -
输入电容(Ciss) 630pF @10V(Vds) 12.5pF @15V(Vds) 412pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 600 mW 125 mW 900 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 200 mW 2000 mW
上升时间 8 ns - 6 ns
下降时间 4 ns - 2 ns
额定电压(DC) 20.0 V - -
额定电流 4.50 A - -
漏源击穿电压 20 V - -
栅源击穿电压 ±12.0 V - -
长度 4.4 mm 1.05 mm 5 mm
宽度 3 mm 0.85 mm 4 mm
高度 1 mm 0.4 mm 1.5 mm
封装 TSSOP-8 SOT-963-6 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -