SI3433CDV-T1-GE3和SI3445DV-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI3433CDV-T1-GE3 SI3445DV-T1-E3 DMP2066LDM-7

描述 P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorVISHAY  SI3445DV-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, 5.6 A, -8 V, 42 mohm, -4.5 V, -1 VDIODES INC.  DMP2066LDM-7  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.6 A, -20 V, 0.029 ohm, -4.5 V, 960 mV 新

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOP TSOP SOT-23-6

针脚数 6 6 6

漏源极电阻 0.031 Ω 0.042 Ω 0.029 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.6 W 2 W 1.25 W

阈值电压 - - 960 mV

漏源极电压(Vds) -20.0 V -8.00 V 20 V

连续漏极电流(Ids) -5.20 A 5.60 A 4.6A

上升时间 - - 9.9 ns

输入电容(Ciss) - - 820pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 1.25 W

下降时间 - - 23.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 3.3 W - 1250 mW

栅源击穿电压 - ±8.00 V -

封装 TSOP TSOP SOT-23-6

长度 3.1 mm - -

宽度 1.7 mm - -

高度 1 mm - -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - - Active

包装方式 - Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

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