FCD4N60TF和FCD4N60TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FCD4N60TF FCD4N60TM

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCD4N60TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 600 V 600 V

额定电流 3.90 A 3.90 A

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 1.00 Ω 1 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 50W (Tc) 50 W

阈值电压 - 5 V

输入电容 540 pF 540 pF

栅电荷 16.6 nC 16.6 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.90 A 3.90 A

上升时间 45.0 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 540pF @25V(Vds) 540pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 50 W 50 W

下降时间 - 30 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc)

长度 - 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm

高度 - 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99

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