对比图
型号 BC857BLT1 BC857BLT1G BC857B,235
描述 通用晶体管 General Purpose TransistorsON SEMICONDUCTOR BC857BLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFETO-236AB PNP 45V 0.1A
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
频率 - - 100 MHz
极性 PNP PNP, P-Channel PNP
耗散功率 300 mW 300 mW 0.25 W
击穿电压(集电极-发射极) 45 V -45.0 V 45 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V - 220 @2mA, 5V
最大电流放大倍数(hFE) - - 220 @2mA, 5V
额定功率(Max) 300 mW - 250 mW
额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -
额定电流 -100 mA -100 mA -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 300 mW - -
高度 - - 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -