对比图
型号 APT5014BLL APT5014BLLG APT5014BFLLG
描述 TO-247 N-CH 500V 35A功率半导体功率模块射频功率MOSFET Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETsTrans MOSFET N-CH 500V 35A 3Pin(3+Tab) TO-247
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-247 TO-247-3 TO-247
额定电压(DC) - 500 V 500 V
额定电流 - 35.0 A 35.0 A
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 - 403 W 403 W
输入电容 - 3.26 nF 3.26 nF
栅电荷 - 72.0 nC 72.0 nC
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 35A 35.0 A 35.0 A
上升时间 - 6 ns 6 ns
输入电容(Ciss) - 3261pF @25V(Vds) 3261pF @25V(Vds)
下降时间 - 3 ns 3 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 403W (Tc) 403W (Tc) 403000 mW
额定功率(Max) - - 403 W
封装 TO-247 TO-247-3 TO-247
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free