对比图
型号 FDB33N25TM STB50NF25 STB22NS25ZT4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB33N25TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 250 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB50NF25 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 250 V, 55 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB22NS25ZT4 MOSFET Transistor, N Channel, 11A, 250V, 130mohm, 10V, 3V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - - 250 V
额定电流 - - 22.0 A
漏源极电阻 0.077 Ω 55 mΩ 0.13 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 235 W 160 W 135 W
阈值电压 3 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
漏源击穿电压 250 V 250 V 250 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 33A 22.0 A 11.0 A
上升时间 230 ns 26 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 2135pF @25V(Vds) 2670pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)
下降时间 120 ns 20 ns 78 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 235W (Tc) 160W (Tc) 135W (Tc)
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
额定功率(Max) 235 W 160 W -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm 10.4 mm -
宽度 11.33 mm 9.35 mm -
高度 4.83 mm 4.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -