MUN5211DW1T1和MUN5211T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5211DW1T1 MUN5211T1 MUN5211DW1T1G

描述 MUN5211DW1T1 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 60 310mW/0.31W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记7A 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路MUN5211T1 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k 增益35-60 SOT-323/SC-70 marking/标记 8AON SEMICONDUCTOR  MUN5211DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-363

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 - 6

封装 SOT-363-6 SC-70-3 SC-70-6

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

极性 NPN NPN N-Channel, NPN

耗散功率 187 mW 202 mW 0.385 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V - 35 @5mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW - 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 385 mW - 385 mW

电源电压 - - 2 V

最大电流放大倍数(hFE) 35 @5mA, 10V - -

长度 2 mm - 2 mm

宽度 1.25 mm - 1.25 mm

高度 0.9 mm - 0.9 mm

封装 SOT-363-6 SC-70-3 SC-70-6

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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