对比图
型号 70T651S12DRI 70V7519S133BFI 70T651S10BFG
描述 静态随机存取存储器 256K X 36 ASYNC DP RAMHIGH -SPEED 3.3V 256K ×36同步BANK切换的双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE静态随机存取存储器 256K x 36 Async 3.3V 2.5V Dual-Port RAM
数据手册 ---
制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)
分类 存储芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount - -
引脚数 208 208 208
封装 PQFP-208 LFBGA-208 CABGA-208
存取时间 12 ns - -
工作温度(Max) 85 ℃ - -
工作温度(Min) -40 ℃ - -
电源电压 2.4V ~ 2.6V 3.15V ~ 3.45V -
长度 28 mm 15.0 mm 15 mm
宽度 28 mm 15.0 mm 15 mm
高度 3.5 mm - 1.4 mm
封装 PQFP-208 LFBGA-208 CABGA-208
厚度 3.50 mm 1.40 mm 1.40 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tube, Rail Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free